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氧化物TFT新候補多晶IGO備受關注

氧化物TFT新候補多晶IGO備受關注(2)
來源:技術在線 更新日期:2011-12-15 作者:佚名
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    索尼發布采用多晶氧化物TFT的有機EL面板

    在“AMD1”與“OLED3”的合并會議“AMOLED”上,索尼發布了采用多晶氧化物TFT的有源矩陣驅動有機EL面板(論文序號AMD1/OLED3-1)。其溝道層采用多晶IGO膜取代了原來的非晶IGZO膜。遷移率高達22~24cm2/Vs,遇到DHF溶液也基本不會被蝕刻,因此適合反向通道蝕刻型TFT。

    SRU(short range uniformity)方面,16個TEG檢測結果表明,Vth的平均值為0.23V,σ=0.02V,偏差很小。LRU(long range uniformity)方面,在300mm×350mm的玻璃底板上,遷移率平均值為23.8cm2/Vs,σ=0.86cm2/Vs,整個基板的偏差也很小。可靠性方面,在Vg=Vd=15V的PBTS(positive bias temperature stress)試驗中,在10000秒內有0.25V左右的Vth漂移。

    索尼采用這種多晶IGO TFT試制出了有源矩陣驅動有機EL面板。對角9.9英寸,像素為960×540(qHD),像素回路為2T(雙晶體管)構造。估計跟該公司已投產的11英寸有機EL電視“XEL-1”一樣,通過2T-2C(2晶體管-2電容器)回路補償了Vth和遷移率。從照片上看,均一性良好。

    由于IGO不能制造多結晶的靶材,所以必須在非晶狀態下成膜后通過基于熱退火的固相生長實現多晶化。長年從事多晶硅TFT業務的人員,可能會擔心“多晶化會不會需要巨大的熱量”,但由于“可以在非晶硅TFT的最高工藝溫度以下進行短時間處理”,所以對產品的批量生產似乎沒有什么影響。從均一性數據來看,結晶成長所產生的顆粒也基本沒有影響,因此完全有可能成為反向通道蝕刻型氧化物TFT的真正候補。

    電致變色方式的64灰階全彩電子紙

    在電子紙會議上,理光發布了實現64灰階全彩顯示的電致變色顯示器(論文序號EP1-1)。元件構造為黃色、藍綠色、深紅色3原色電致變色層縱向層迭成三層。背板采用的是低溫多晶硅(LPTS)TFT。

    該產品非常受歡迎,記者招待會上人山人海,甚至無法靠近觀看實物。面板尺寸為對角3.5英寸,像素為240×320。寫入也比較順暢,幾秒左右擦寫一次畫面。在目前發布的彩色電子紙中實現了非常自然的顏色。

    圖3:理光的全彩電致變色顯示器(論文序號EP1-1)對比度稍微差點,但灰階表現順暢,作為反射型,實現了非常良好的色彩。

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