有源驅(qū)動(dòng)彩色OLED技術(shù)是未來OLED技術(shù)重點(diǎn)發(fā)展方向之一，也是制備OLED電視機(jī)和顯示器的必須技術(shù)。這一技術(shù)很大程度可以繼承LCD的TFT驅(qū)動(dòng)技術(shù)。但是LCD液晶是電壓驅(qū)動(dòng)，而OLED是電流驅(qū)動(dòng)，這就決定了二者還將擁有一定的技術(shù)差異。

    TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶體管，意即每個(gè)像素點(diǎn)都是由集成在像素點(diǎn)后面的薄膜晶體管來驅(qū)動(dòng)。這種技術(shù)具有響應(yīng)迅速、精度高、可做到點(diǎn)到點(diǎn)的調(diào)整等突出特點(diǎn)。雖然其制備工藝更復(fù)雜，但是還是得到了市場(chǎng)的廣泛青睞。目前大多數(shù)液晶和OLED顯示屏都趨向于采用這種驅(qū)動(dòng)技術(shù)。

    有源驅(qū)動(dòng)OLED技術(shù)，AMOLED的發(fā)展主要取決于TFT在OLED中的應(yīng)用。TFT-AMOLED驅(qū)動(dòng)技術(shù)有三個(gè)研發(fā)方向：一是改進(jìn)傳統(tǒng)的非晶硅技術(shù)(a-Si TFT)，二是開發(fā)載流子遷移率高的低溫多晶硅技術(shù)(LTPS TFT)，三是開發(fā)有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)。

    LTPS TFT擁有較高的載流子遷移率，這對(duì)電流驅(qū)動(dòng)型的OLED器件來說是非常有利的，然而制備技術(shù)還不成熟，成品率還很低。傳統(tǒng)的準(zhǔn)分子激光晶化法非常昂貴，器件性能上亮度還不均勻。

    a-Si TFT可以延續(xù)液晶的技術(shù)，工藝簡(jiǎn)單、成熟、成本低廉，且可以利用現(xiàn)有的液晶生產(chǎn)設(shè)備，基板尺寸可以做到10代線以上，但用于驅(qū)動(dòng)OLED則存在遷移率低、器件性能穩(wěn)定性差等缺點(diǎn)。從發(fā)展趨勢(shì)看，a-Si可能適合大尺寸顯示，LTPS則可能適合中小尺寸高節(jié)約能耗產(chǎn)品的顯示。

    另外OTFT技術(shù)采用有機(jī)材料代替硅，適合于軟屏制備，相對(duì)于硅薄膜晶體管，OTFT的工藝要簡(jiǎn)單得多。但是OTFT技術(shù)還處于基礎(chǔ)研究階段。

    本質(zhì)上以上三者都是TFT驅(qū)動(dòng)技術(shù)，差異主要是薄膜晶體管的晶體材料和工藝，例如以上三種之外的UC-si/P-SI等技術(shù)。采用不同的工藝和材料可以獲得不一樣的效果。事實(shí)上，不同企業(yè)除了采用晶體硅氧化物方案外，薄膜晶體管技術(shù)領(lǐng)域在開發(fā)其它晶體技術(shù)方案，例如金屬氧化物。這些方案

    但是，a-Si TFT(Amorphous Silicon TFT)機(jī)板，依然是目前LCD業(yè)界廣為使用并為最有經(jīng)濟(jì)效益的機(jī)板。研究顯示a-Si TFT的不穩(wěn)定性來自兩個(gè)原因，一為a-Si:H本身的不穩(wěn)定狀態(tài)，另一個(gè)則是電荷鎖在氮化硅閘極絕緣層。經(jīng)過測(cè)試之后，利用負(fù)偏壓可以減少Vth電壓的漂移問題，加上負(fù)1伏特電壓的偏壓，經(jīng)過1萬(wàn)小時(shí)后，Vth電壓的漂移電壓是1.2伏特，相對(duì)沒有加上偏壓的2.7伏特的漂移電壓，則明顯改善許多。理論上，通過矯正性技術(shù)的引入，a-Si TFT將在顯示性能上得到很大改善，并最有希望率先將成熟的大尺寸OLED顯示產(chǎn)品引入到我們的日常生活之中。