7月21日，國星光電對(duì)外發(fā)布關(guān)于取得發(fā)明專利證書的公告，公告稱，公司于近日取得一項(xiàng)發(fā)明專利，并獲得了由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的專利證書。

    據(jù)悉，該項(xiàng)專利的名稱為用于在晶圓級(jí)封裝中暴露電極的方法及掩膜版，專利是申請(qǐng)日為2012 年 06 月 13 日，授權(quán)日為2015 年 6 月 17 日，有效期為20年。

    國星光電表示，該專利的專利權(quán)人為公司。此項(xiàng)專利的取得不會(huì)對(duì)公司生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響，但有利于保護(hù)和發(fā)揮公司自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢，形成持續(xù)創(chuàng)新機(jī)制，保持技術(shù)領(lǐng)先地位，提升公司的核心競爭力。