日本九州大學的研究人員日前開發出一種名為單線態裂變（singlet fission）的新技術，使近紅外OLED材料能夠超越激子產生的100%限制，或者說超過100%的內部量子效率（IQE）。單線態裂變已經被用于OPV，但用于OLED尚屬首次。

    超越100%是可能的，因為在100% IQE時，所有電荷都會形成發光的激子。新技術將能量從高能激子分裂為兩個低能激子。新的OLED發光材料使用的分子能在保留一半能量的同時將另一半能量轉移給相鄰分子，即每個單線產生2個三聯體。發光體發射近紅外光。

    在他們的第一項研究中，研究人員的IQE達到了100.8%。通過對材料進行增強，IQE被提高到125%——這被認為是目前的極限值，因為OLED發光體產生25%單線態和75%三聯體。研究人員還將研究如何將三聯體轉化為單線態，這可能將IQE提高到200%。