關鍵詞三：紅光氮化鎵

    近年來，圍繞Micro LED技術及工藝的研發(fā)儼然已經(jīng)成為LED顯示，乃至大屏商顯行業(yè)的熱點。由于微米級的Micro LED制備已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝而進入了IC制程，而大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN）晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等優(yōu)勢，因而已成為Micro LED制備的主流技術路線。當前，Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等公司都在專注于硅襯底Micro LED開發(fā)。

    Micro LED的規(guī)模化應用需要高良率和高光效的紅綠藍三基色Micro LED芯片。當前綠光和藍光的氮化鎵材料體系已經(jīng)成熟，并已可滿足Micro LED制程開發(fā)的要求。但紅光Micro LED方面，傳統(tǒng)的紅光磷化鋁銦鎵（AlInGaP）體系由于材料較脆且側(cè)壁非輻射復合嚴重，因而面臨良率和光效兩方面的重大技術瓶頸。因此，要破解Micro LED規(guī)模量產(chǎn)的難題，開發(fā)高效的紅光氮化鎵芯片，特別是大尺寸硅襯底上紅光氮化鎵就擺在了首位。

    2021年9月，晶能光電宣布，已成功制備紅、綠、藍三基色硅襯底氮化鎵基Micro LED陣列，像素點間距為25微米，像素密度為1000PPI，在10A/cm2電流密度下的峰值波長分別為650nm、531nm、和445nm。InGaN紅光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波長）為3.5%，EL的半高寬為70nm。

    10月，多孔氮化鎵材料平臺開發(fā)商Porotech公司（由劍橋大學拆分出來）宣布，其開發(fā)出全球首款基于原生紅光氮化鎵（InGaN）LED的micro LED微型顯示器。該微型顯示器具有0.55英寸對角線面板，分辨率為960×540。Porotech表示，其原生氮化鎵紅光LED將提供比目前使用的磷化鋁銦鎵（AlInGaP）紅光LED更高的效率。用氮化鎵芯片開發(fā)RGB微型顯示器還將提供更容易的驅(qū)動和工藝設計。

    9月16日，AET阿爾泰2022新品發(fā)布會期間，公司總經(jīng)理趙春雷透露，公司自主研發(fā)的100微米RGB 3D LED芯片即將實現(xiàn)量產(chǎn)，同樣是自研的氮化鎵紅光芯片也已成功點亮。不僅如此，公司在標準控制架構(gòu)、全新光電材料研發(fā)、標準架構(gòu)下控制IC和驅(qū)動IC研發(fā)與傳輸協(xié)議的標準化、新封裝技術的開發(fā)等諸多層面，為Micro LED的商業(yè)化應用同步推進。

    作為Micro LED全彩芯片開發(fā)中的關鍵節(jié)點，紅光氮化鎵芯片的研發(fā)和應用意義非凡。