產品介紹

    MicroLED晶圓級PL巨量檢測設備

    該設備應用于 Micro LED 芯片的晶圓級巨量檢測過程中，對Micro LED晶圓進行檢測，對芯片發光性能進行監控，提高良率，對分BIN工藝提供分選依據。隨著 LED 晶粒尺寸的縮小，每片晶圓上的晶粒數量會達到數百萬或千萬顆以上，需對每顆 LED 晶粒進行光學性能檢測。我們采用顯微光致發光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗場成像，實現透明樣品的無接觸、非破壞性和超快速的缺陷/亞表面缺陷檢出，從而大幅提高生產效率和良率，降低生產成本，加速產業發展。

    1.采用高效高精度的巨量目標光譜采集技術。通過高空間分辨的光強光譜采集方法，實現對巨量目標的同步檢測，同時采集光強和光譜信號，提高檢測效率。

    2. 采用Micro-LED光致發光區域均勻激發技術。采用特殊的光學照明系統避免激發光差異性帶來的發光異常，實現均勻光源激發下光致發光強度一致性檢測。

    3. 采用缺陷Micro-LED光致發光特性大數據模型。分析其發光光強光譜類型，建立異常芯片數據庫，研究基于光譜參數層面的Micro-LED缺陷與異常診斷方法，確定空間、光強、光譜參數，實現高效精準的異常判斷，滿足Micro LED產業發展的檢測需求。

    應用領域

    COW/COC1/COC2 的MicroLED Wafe的缺陷檢測；4", 6" EPI的缺陷檢測

    產品優勢

    超高速無損檢測

    優異的再現性和穩定性

    亞微米級分辨率

    典型的檢測結果

    相同位置MicroLED芯片PL vs AOI

    PL發現中間芯片發光異常                      AOI觀察圖像均正常       

    發光亮度分布

通過PL亮度可以卡控發光異常的芯片

    （如上wafer存在較多暗點聚集區域）

    發光波長分布

    通過PL波長檢測可以為區域分BIN提供支撐數據

    （如上wafer以2.5nm波長可劃分為3塊主要區域）